微電路元件可靠性試驗(yàn)方法液槽沖擊試驗(yàn)箱

目的：確定元件暴露于高低溫極值下，以及高低溫極值交替沖擊下所具有的抗御能力。

符合標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-883 推力標(biāo)準(zhǔn)

試驗(yàn)：

將試驗(yàn)樣品置于低溫箱中，此時(shí)，低溫箱的溫度已調(diào)至表1規(guī)定的極值溫度，并在溫度下按表2規(guī)定的時(shí)間進(jìn)行保溫。

保溫時(shí)間到，在5min內(nèi)將試驗(yàn)樣品從低溫箱格至高溫箱中，此時(shí)，高溫箱的溫度已調(diào)

至表1規(guī)定的極值溫度，并在此溫度下按表2規(guī)定的時(shí)間進(jìn)行保溫，

保溫時(shí)間到，在5min內(nèi)將試驗(yàn)樣品從高溫箱移至低溫箱中。此時(shí)，低溫箱的溫度已調(diào)至4.3.1款的極值溫度，并在此溫度下按4.3.1款的試驗(yàn)時(shí)間進(jìn)行保溫。

初的5次循環(huán)應(yīng)連續(xù)地進(jìn)行。5次循環(huán)后，在任何一次循環(huán)完成之后都可以中斷試驗(yàn)。再恢復(fù)試。驗(yàn)之前可允許試驗(yàn)樣品恢復(fù)到試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)大氣條件。

在測(cè)試階段，不同的推力值會(huì)在不同的溫度環(huán)境下應(yīng)用于待測(cè)定的元件上，包括低溫(-196°C至+85°C)和高溫(-55°至+125°C)。MIL-STD-883 規(guī)定，低溫部分應(yīng)用的推力值為25g(0.25 ms)，峰峰值和保持時(shí)間分別為50g(1ms)和11 ms:高溫部分應(yīng)用的推力值為15g(0.15 ms)，峰峰值和保持時(shí)間分別為30g(0.3 ms)和6ms。此外，MTL-STD-883 規(guī)定，在完成推力測(cè)試前，還必須記錄和存檔測(cè)試要求，以確保能夠進(jìn)行正確分析和結(jié)果報(bào)告。

在恢復(fù)階段，完成推力測(cè)試之后，用干測(cè)試的微電路元件應(yīng)當(dāng)嚴(yán)格按照建立的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行復(fù)原活動(dòng)，以保證受到的捐傷達(dá)到小值。通過(guò) MIL-STD-883 推力標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試，可以溯源檢測(cè)微電路元件的可靠性，同時(shí)確保微電路元件的性能，減少設(shè)備出現(xiàn)故障的風(fēng)險(xiǎn)，提高設(shè)備的可用性。因此，現(xiàn)代微電路制造廠紛紛采用 MIL-STD-883 推力標(biāo)準(zhǔn)來(lái)保證其產(chǎn)品的可靠性和可用性。